鈣鈦礦量子點(diǎn)（PQDs）作為一種新興的半導(dǎo)體納米材料因其優(yōu)異的光電性能受到廣泛關(guān)注，如高光致發(fā)光量子產(chǎn)率 （PLQY接近100%）、窄半峰寬（FWHM<30 nm）、波長可調(diào)（覆蓋可見光范圍）、抗光漂白等特點(diǎn)，在生物成像、背光顯示、LED、激光、防偽等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。圖案化是推動(dòng)鈣鈦礦量子點(diǎn)在顯示及防偽等領(lǐng)域應(yīng)用的關(guān)鍵步驟。然而，由于鈣鈦礦量子點(diǎn)固有的離子特性，其對水、氧及紫外光非常敏感，

鈣鈦礦量子點(diǎn)（PQDs）作為一種新興的半導(dǎo)體納米材料因其優(yōu)異的光電性能受到廣泛關(guān)注，如高光致發(fā)光量子產(chǎn)率 （PLQY接近100%）、窄半峰寬（FWHM<30 nm）、波長可調(diào)（覆蓋可見光范圍）、抗光漂白等特點(diǎn)，在生物成像、背光顯示、LED、激光、防偽等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。圖案化是推動(dòng)鈣鈦礦量子點(diǎn)在顯示及防偽等領(lǐng)域應(yīng)用的關(guān)鍵步驟。然而，由于鈣鈦礦量子點(diǎn)固有的離子特性，其對水、氧及紫外光非常敏感，在外界環(huán)境刺激下易降解成不發(fā)光的物質(zhì)，阻礙了其實(shí)際應(yīng)用。常規(guī)的圖案化方法如自組裝、光刻或打印等會導(dǎo)致鈣鈦礦量子點(diǎn)尺寸增大、量子產(chǎn)率降低、穩(wěn)定性下降，這主要是由反復(fù)暴露于紫外線輻射、加熱和溶劑清洗造成的。因此，為了推動(dòng)鈣鈦礦量子點(diǎn)在光電領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用，亟需探索一種通用的圖案化策略，以制備具有高穩(wěn)定性、可控形態(tài)以及可與剛性或柔性基底集成的鈣鈦礦量子點(diǎn)圖案。